IRLI520N
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IRLI520N |
---|---|
Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FP |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-FP |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 6A, 10V |
Verlustleistung (max) | 30W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8.1A (Tc) |
IRLI520N Einzelheiten PDF [English] | IRLI520N PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
IRLI520NPBF. IR
IRLI530A VB
IRLI520 IR
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
IRLI3803PBF. IR
IRLI520A VB
MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
IRLI530 VB
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FP
VBSEMI TO-220F
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IRLI520NInfineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|